Главная > Электроника > Транзистор FQU 11P06

Транзистор FQU 11P06

 FQU11P06 DATASHEET

Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: P
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 60 B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 9.4 А
Предельная температура (Tj): С
Время нарастания (Fr):
Ёмкость стока (Cd): Пф
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.185 Ом
Корпус: TO251(IPAK)

DATASHEET

Advertisements
Рубрики:Электроника Метки:
  1. faktorvremeni
    18.12.2016 в 8:03 пп

    BENQ Q7T4 что можно подобрать из поливиков
    http://monitor.net.ru/forum/benq-q7t4-info-256551.html

  1. No trackbacks yet.

Добавить комментарий

Заполните поля или щелкните по значку, чтобы оставить свой комментарий:

Логотип WordPress.com

Для комментария используется ваша учётная запись WordPress.com. Выход / Изменить )

Фотография Twitter

Для комментария используется ваша учётная запись Twitter. Выход / Изменить )

Фотография Facebook

Для комментария используется ваша учётная запись Facebook. Выход / Изменить )

Google+ photo

Для комментария используется ваша учётная запись Google+. Выход / Изменить )

Connecting to %s